最早在论坛刷到有人问中国量子芯片多少纳米，我下意识就拿手机去翻各种科普文章，越看越乱，很多帖子直接把量子芯片和手机CPU的制程混在一起讲，很容易产生误解。量子芯片和我们日常说的硅基逻辑芯片，纳米指标根本不是一套东西，不能简单放在一块对比，这只是我的个人感受，不是标准答案。
超导量子芯片是国内现在推进比较快的路线，本源量子、中科院相关团队做的这类芯片，比特之间的线路、约瑟夫森结的加工，用的光刻精度大多在百纳米级别，也就是100纳米上下，部分精细结构能做到几十纳米。这里的纳米，是指量子器件的线条宽度，不是传统芯片里晶体管栅极那种制程节点。很多人会搞错，以为100纳米就是落后，其实超导芯片追求的不是无限缩小线宽，而是薄膜均匀度、器件噪声控制，一味往更小尺寸去压反而容易带来更多干扰，破坏量子比特的相干时间。
硅基自旋量子芯片又是另一个路子。它依托改造后的CMOS产线，会用到28纳米这类成熟半导体工艺来制备量子点阵列，用来困住电子，形成自旋量子比特。但这里28纳米只是借用产线加工结构，不是说量子比特本身的尺寸是28纳米，量子比特本身是单电子，尺度远小于这个数字。还有原子级硅量子芯片，用扫描隧道显微镜在硅里植入磷原子，比特直接是单个原子，加工精度可以到亚纳米，这种还处在实验室研究阶段，离批量流片还有很远距离。
光量子芯片的指标更特殊，薄膜铌酸锂这类材料做的光子芯片，波导结构加工精度一般是几百纳米，核心是控制光子传播，不存在超导或者自旋那种量子比特，自然也没法套用大家熟悉的芯片纳米制程。网上偶尔看到的几纳米量子芯片说法，大多是指加工设备的刻写精度，不是量子芯片的等效制程，不少自媒体直接混淆概念，拿这个博眼球。
我之前还看到有人拿普通光刻机的思路去理解量子芯片，以为数字越小性能越强。后来跟着看过一次线上的技术分享，才明白评判量子芯片好坏，优先看量子比特数量、相干时间、门保真度，纳米只是制造环节里一项加工参数，不是核心衡量标准。哪怕同样的加工线宽，材料、低温环境、封装水平有一点差别，芯片能跑出来的效果天差地别。
国内还有另一类量子芯片，是量子随机数芯片，属于量子安全器件，不是量子计算处理器，它的工艺更多是常规成熟半导体制程，重点实现量子隧穿产生随机数，不涉及量子比特运算，网上很多讨论的时候，会把它和量子计算芯片混在一起，造成信息混淆。
很多科普内容不会特意区分不同路线，才会让这个问题变得复杂。超导、硅自旋、光量子，三条路线并行研发，各自的加工尺度完全不一样，不存在一个统一的“中国量子芯片多少纳米”的固定答案。如果非要简单概括，国内超导量子计算芯片主流精细加工在百纳米区间，硅自旋方向借用28nm成熟产线开展实验，原子级方案可以做到亚纳米，不同场景不能互相等同。
到现在再去刷网上的问答，还是能看见大量错误说法，直接把量子芯片对标手机芯片制程。我自己整理这些信息的时候，也反复核对了好几次，说到底，不要单盯着纳米数字去判断量子芯片水平，要看它属于哪一类量子器件，以及对应的实验目标。